單晶爐定義：

    單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。

    單晶爐的型號與命名：

    單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的

    技術要求：

    1.單晶爐裝料量（單臺機產能多少） 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質（少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度） 5設備制造工藝控制保證 6自動化控制程度 7設備主要關鍵部件的配置等 。

    1、穩定的機架結構設計，增強了設備在晶體生長過程中的抗振動能力。

    2、優化的液壓提升機構確保副爐室提升和復位時的運動平穩性。 

    3、與主機分離的分水器設計，在減少冷卻水振動對晶體生長的影響的同時優化了水路布局。 

    4、晶體和坩堝的提升采用雙電機結構，保證穩定的低生長速度以及坩堝和籽晶的快速定位。 

    5、采用無振動的高性能馬達和低噪聲的減速器驅動晶體和坩堝上升，可提供穩定的低生長速度。

    6、設備的真空條件和在真空下的可控惰性氣體氣流使得熱區清洗最佳化。氧化硅可以在不污染晶體和晶體驅動裝置的條件下排除。  

    7、帶隔離閥的副室可以在熱區保持工作溫度的情況下，取出長成的晶體或者更換籽晶。 

    8、對惰性氣體流量和爐室壓力高精度的控制能力，為生長高品質單晶創造了條件。 

    9、爐蓋和爐腔通過兩個提升裝置提升，很方便的轉向一邊快捷地清洗。

    10、熔化溫度通過對加熱器溫度的電控來維持和調節，加熱電源采用直流供電提高了控制精度。高品質的加熱器溫度測量傳感器實現了精確的溫度控制。

    12、整個晶體生長過程由一個高可靠的可編程計算機控制器（PCC）控制，包括抽真空、熔化、引晶縮頸、放肩、等經生長和尾錐生長，晶體生長全過程可實現全自動（CCD）控制：。

    13、帶有數據和報警過程控制的可視化軟件，存儲在計算機的硬盤中。

    單晶爐在使用時，爐體處于高溫工作狀態，并要求各運動部件的運動穩定可靠，精度高（尤其是坩堝驅動裝置和籽晶旋轉及提升機構），工作時間長。因此，在使用過程中，要注意設備的維護與保養。 

    坩堝驅動裝置 

    坩堝驅動裝置要求的運動精度比較高，是設備的核心運動部件，應重點維護。坩堝軸是石墨坩堝的支撐軸，應隨時檢查其冷卻水的情況，以免燒損。坩堝驅動采用滾珠絲杠和直線導軌結構，是坩堝驅動的關鍵部件，需保持清潔，嚴禁灰塵、雜物附著，并定期涂抹潤滑脂。

    籽晶旋轉及提升機構的維修 

    籽晶旋轉及提升機構也是單晶爐的關鍵部件，該部件運行的好壞直接影響單晶的生長。因此，也須重點維護。  卷輪箱是籽晶提升的核心，卷輪箱內的零件一般情況下不得隨意拆除，必須拆除時，重新安裝時必須保證軟軸對中。軟軸鋼絲繩在使用中不準有死彎現象，并在每次開爐時檢查鋼絲繩是否燒損，如有燒損應及時修整或更換新的鋼絲繩。

    其余部件的維修

    每次開單晶爐前應檢查水路系統是否暢通，水溫檢測傳感器安裝是否正常。發現有結垢時應及清理。在拉晶過程中，若發現水壓報警或漏水時要及時采取措施。  真空管道的過濾網每爐要清理一次，抽氣管道每20～30爐清理一次。